美国单边制裁及投资限制下“美国人”（U.S. Person）问题解读

根据最新美国《出口管制条例》的定义，“美国人士”包括：

1. 美国公民、作为美国永久居民的外国人 ；

    

2. 受美国保护的个人（包括受庇护者、难民、正在进行移民申请的人）；

    

3. 依照美国法律或美国境内任何司法管辖区的法律设立的法人（包括外国分支机构）；

    

4. 以及美国境内的个人。

符合以上概念的个人和实体都可能受到出口管制新规的管制和制裁，以半导体行业为例，可能受到波及的相关人士包含如下几类人员：

1. 企业高管（美籍、绿卡持有者、绿卡申请人、申请庇护者）

    

2. 企业中出口管制条例所列技术范围的工程师（美籍、绿卡持有者、绿卡申请人、申请庇护者）

    

3. 行业内直接处理中国业务的责任人员（美籍、绿卡持有者，绿卡申请人，庇护者）

对于从事出口管制新规列明的先进制程相关领域的中国公司所雇佣的美国研发、采购人员和中国公司在美国开设的研发中心都将带来冲击。以上人士中即使不属于美国国籍、绿卡持有者，绿卡申请人，庇护者，但人身处在美国的，或已经引起了美国商务部注意且人在与美国有引渡条约之国家的，也将被视为受管制的“美国人士”。

“美国人士”在2022年EAR规则修订下的限制

在2022年10月修订的美国《出口管制条例》中，明确禁止任何“美国人士”（U.S. Person）在没有许可证授权的情况下“支持”我国或在我国境内的特定半导体活动；除非拥有美国政府授权许可，否则要求任何“美国人士”不得向中国或在中国境内运送、传输或在国内转移明知会用于位于中国境内的半导体制造设施中开发或生产的集成电路，且该设施制造的集成电路符合以下任何一项标准：

1. 使用非平面结构的逻辑集成电路，或其生产技术节点小于等于16/14纳米或以下；

    

2. 具有128层及以上的NOT-AND（NAND）存储器集成电路；

    

3. 动态随机存取存储器(DRAM)集成电路，使用半间距为小于等于18纳米的生产技术节点。同时，运输、协助运输、转移运往中国境内，符合CCL第3类B、C、D或E产品组中（即电子类，设备、组件组；测试、检验、生产设备；材料；软件；技术）任何ECCN参数；符合ECCN 3B090（特定半导体制造设备）、3D001（先进计算机相关技术）或3E001（先进计算机相关软件）参数的物项也同样遭到禁止。

需要注意的是，美国出口管制条例中的“支持”所涵盖的范围广泛，“支持”行为包括但不限于提供资金、协助下达订单、提供仓储、提供贷款、运送、传输、协助运输、货运代理、物项转移等所有可为我国集成电路制造、开发提供便利的活动。

美国国家安全审查最终规则中

“美国人士”之限制要求

2024年10月28日最终规则中要求美国财政部进一步制定对外投资审查条例，细化对“美国人士”在“受关注国家”特定领域技术和产品活动中的投资限制。本次规则的主要限制性要求包括两方面，即美国人士需区分“需要申报的交易”和“被禁止的交易”：

1. 美国人士须就针对涉及特定种类先进技术和产品的“受辖外国主体”（covered foreign person）的投资交易进行申报；

    

2. 禁止美国人士对涉及特定种类先进技术和产品的“受辖外国主体”（covered foreign person）的特定投资交易。

基于上述要求，尽管此次行政令仅将个别投资领域纳入管辖范围（仅涵盖半导体与微电子、量子信息技术、人工智能三个行业），但是，美国投资者必须将其他可能与国家安全有关的交易向美国财政部进行申报，以此协助美国搜集与国家安全相关的外国投资的相关资料。同时，行政令也授权美财政部对受限交易主动发起审查，还可以要求相关企业就受限交易提交的相关信息等。

美国投资审查重点关注受关注国家军事和军民两用技术能力的投资，现阶段明确拟加强对华半导体和微电子、人工智能和量子计算技术等特定领域，尤其是该领域“敏感技术”的投资审查监管，而这些“敏感技术”，与当前美国对华出口管制中的相关规定、政策等有所交叉。此次政策变化与举措的出台显示美国政府在维护国家安全和技术领导地位方面，不断对华落实“小院高墙”战略，并开始充分利用多重管制和制裁的手段加强对华监管。

有鉴于此，相关中国企业应当及时对涉美资本成分以及相关敏感技术领域风险进行梳理和评估，必要时寻求专业机构的帮助，提早确认战略方向、制定应对措施。

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